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                太陽能鍺晶片

                公司能夠研發擁有自主知識產權的4英寸和6英寸VGF法單晶生長爐,建成了4英寸和6英寸VGF法“零位錯”太陽能電池用鍺單晶片生產線。

                We invented 4’’ & 6’’ VGF monocrystal furnace with independent intellectual property right, and set up a production line of 4’’ & 6’’ zero EPD VGF germanium wafer producing line.


                鍺晶片技術規格

                   生長方法

                  Growth Method 

                   VGF 

                  摻雜類型

                  Dopant 

                  P型:鎵 

                  p-type: Ga 

                  N型:砷

                  n-type: As

                  晶片形狀

                  Wafer Shape 

                  圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

                  Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’6") 

                  晶向 

                  Surface Orientation * 

                  (100)±0.5° 

                  * Other Orientations maybe available upon request 

                    其他晶向要求可根據客戶需求加工 

                  電阻率 

                  Resistivity  (Ω.cm) 

                  根據客戶要求

                  As Required

                  位錯 

                  Etch Pitch Density (cm2) 

                  ≤ 300 

                  厚度 

                  Thickness (μm) 

                  175±25(或根據客戶要求)

                  175±25 (or as required) 

                  TTV [P/P] (μm) 

                  ≤ 10 

                  WARP (μm) 

                  ≤ 15 

                  IF** (mm) 

                  32.5±1 

                  **If needed by customer 

                      根據客戶需要 

                  主面拋光

                  Surface 

                   E/E, P/E, P/G 


                鍺襯底產品營銷中心:
                聯系電話:13398718466
                E-mail:alexchen@sino-ge.com
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