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                砷化鎵晶片 GaAs Wafer

                我們研發并生產的2-6英半導體級以及半絕緣級高純度砷化鎵晶體和晶片被廣泛應用于半導體集成電路以及LED通用照明等領域。

                Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.


                半導體砷化鎵規格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

                生長方法
                  Growth Method 

                   VGF 

                  摻雜類型
                  Dopant 

                  P型:鋅 
                  p-type: Zn 

                  N型:硅
                  n-type: Si

                  晶片形狀
                  Wafer Shape 

                  圓形(尺寸2、3、4、6英寸)
                  Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

                  晶向 
                  Surface Orientation * 

                  (100)±0.5° 

                  * Other Orientations maybe available upon request 
                    其他晶向要求可根據客戶需求加工 

                Dopant
                摻雜

                硅 (N 型)
                Si (n-type)

                鋅 (P 型)
                Zn (p-type)

                載流子濃度
                Carrier Concentration (cm-3)

                ( 0.8-4) × 1018

                ( 0.5-5) × 1019

                遷移率 
                  Mobility (cm2/V.S.)

                ( 1-2.5) × 103

                50-120

                  位錯 
                  Etch Pitch Density (cm2) 

                 100-5000

                3,000-5,000

                直徑
                Wafer Diameter (mm)

                50.8±0.3

                76.2±0.3

                100±0.3

                  厚度 
                  Thickness (μm) 

                350±25

                625±25

                625±25

                  TTV [P/P] (μm) 

                ≤ 4

                ≤ 4

                ≤ 4

                  TTV [P/E] (μm) 

                ≤ 10

                ≤ 10

                ≤ 10

                  WARP (μm) 

                ≤ 10

                ≤ 10

                ≤ 10

                OF (mm)

                17±1

                22±1

                32.5±1

                OF / IF (mm)

                7±1

                12±1

                18±1

                Polish*

                E/E,
                P/E,
                P/P

                E/E,
                P/E,
                P/P

                E/E,
                P/E,
                P/P

                *E=Etched, P=Polished(*E=腐蝕, P=拋光)

                  **If needed by customer 
                      根據客戶需要 


                半絕緣砷化鎵 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

                生長方法

                  Growth Method 

                   VGF 

                  摻雜類型

                  Dopant 

                  SI 型:

                SI Type:  Carbon 

                  晶片形狀

                  Wafer Shape 

                  圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

                  Round (DIA: 2", 3", 4"6") 

                  晶向 

                  Surface Orientation * 

                  (100)±0.5° 

                  * Other Orientations maybe available upon request 

                    其他晶向要求可根據客戶需求加工 

                  電阻率 

                  Resistivity  (Ω.cm) 

                ≥ 1 × 107

                ≥ 1 × 108

                遷移率

                Mobility (cm2/V.S)

                ≥ 5,000

                ≥ 4,000

                  位錯 

                  Etch Pitch Density (cm2

                  1,500-5,000

                1,500-5,000

                晶片直徑

                Wafer Diameter (mm)

                50.8±0.3

                76.2±0.3

                100±0.3

                150±0.3

                  厚度 

                  Thickness (μm) 

                350±25 

                625±25

                625±25

                675±25 

                  TTV [P/P] (μm) 

                ≤ 4

                ≤ 4

                ≤ 4

                ≤ 4

                  TTV [P/E] (μm) 

                ≤ 10

                ≤ 10

                ≤ 10

                ≤ 10

                  WARP (μm) 

                ≤ 10

                ≤ 10

                ≤ 10

                ≤ 15

                OF (mm)

                17±1

                22±1

                32.5±1

                NOTCH

                OF / IF (mm)

                7±1

                12±1

                18±1

                N/A

                Polish*

                E/E,

                P/E,

                P/P

                E/E,

                P/E,

                P/P

                E/E,

                P/E,

                P/P

                E/E,

                P/E,

                P/P

                *E=Etched, P=Polished (*E=腐蝕, P=拋光)

                  **If needed by customer 

                      根據客戶需要 


                III-V族襯底產品營銷中心:
                聯系電話:13398718466
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